Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM2318CX RFG

MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
TSM2318CX

TSM2318CX RFG Hakkında

TSM2318CX RFG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltaj ile 3.9A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-direnç değeri (45mOhm @ 10V, 3.9A) sayesinde anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. SOT-23 yüzey monte paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklıklarında çalışabilir. Maksimum 1.25W güç harcaması ile mobil cihazlar, güç kaynakları, LED sürücüler ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 10nC gate charge ve 540pF input capacitance ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.9A, 10V
Supplier Device Package SOT-23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok