Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM2312CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM2312CX
TSM2312CX RFG Hakkında
TSM2312CX RFG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 4.9A sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 33mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, USB anahtarları, cep telefonu şarj devreleri ve taşınabilir cihazlar gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 750mW güç tüketebilir. 11.2nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 4.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok