Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM2311CX RFG

MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
TSM2311CX

TSM2311CX RFG Hakkında

TSM2311CX RFG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj (Vdss) ve 4A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 55mΩ maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. SOT-23 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Mobil cihazlar, güç yönetim devreleri, LED kontrol ve düşük voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 6nC gate charge ve 640pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon sağlar. Component üretimden kaldırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok