Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM2311CX-01 RFG
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM2311CX
TSM2311CX-01 RFG Hakkında
TSM2311CX-01 RFG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilim aralığında 4A sürekli drain akımı sağlayarak, düşük güç uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. SOT-23-3 yüzey montajlı paket içerisinde 900mW güç saçılımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 55mOhm on-resistance değeri ile verimliliği arttırır. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenli çalışma sağlar. Düşük gate charge (9nC) ve input capacitance (640pF) özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. Uygulamalarında: batarya yönetimi, güç denetimi, portabl cihazlar ve düşük güçlü anahtarlama devreleri yer almaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok