Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM230N06CZ C0G

MOSFET N-CH 60V 50A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
TSM230N06CZ

TSM230N06CZ C0G Hakkında

TSM230N06CZ C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygun hale getirilmiştir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 23mOhm maksimum on-state direnci (10V gate geriliminde 20A'da) ile düşük kayıp sağlar. 104W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak yer alır. ±20V gate gerilimi aralığında çalışır ve 150°C maksimum junction sıcaklığında işletilmesi mümkündür. 2.5V eşik gerilimi (threshold voltage) ile hızlı anahtarlama davranışı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok