Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM230N06CI C0G

MOSFET N-CH 60V 50A ITO220

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
TSM230N06CI

TSM230N06CI C0G Hakkında

TSM230N06CI C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 50A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde gelen bileşen, izole edilmiş tab ile entegre edilmiş, yüksek sıcaklık ortamlarında 150°C'ye kadar çalışabilmektedir. 23mOhm maksimum on-state direnci (10V gate geriliminde, 20A dren akımında) ve düşük gate charge karakteristiği (28nC @ 10V) ile hızlı anahtarlama işlemleri sağlar. Güç dağılımı kapasitesi 42W olup, ±20V maksimum gate-source gerilim aralığında güvenli çalışır. Endüstriyel kontrol sistemleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package ITO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok