Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM2309CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM2309CX
TSM2309CX RFG Hakkında
TSM2309CX RFG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ve 3.1A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 190mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve pil şarj devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V maksimum gate voltajı ile uyumlu sürücü devre tasarımı gerektirir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 425 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok