Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM2308CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM2308CX
TSM2308CX RFG Hakkında
TSM2308CX RFG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilim ve 3A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 156mΩ maksimum RDS(on) değeri (3A, 10V şartlarında) ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük gerilim motor sürücü uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 4.3nC gate yükü özellikleri hızlı anahtarlama gerektiren devrelere uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 511 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok