Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM2301BCX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM2301
TSM2301BCX RFG Hakkında
TSM2301BCX RFG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi ve 2.8A sürekli drenaj akımı ile çalışabilen bu bileşen, SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 4.5V gate voltajında 100mOhm maksimum Rds(on) değerine sahip olması, düşük güç kaybı gerektiren anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve maksimum 900mW güç tüketimi özellikleri sayesinde, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve transistör kontrol uygulamalarında yer bulabilir. 4.5nC gate charge değeri hızlı anahtarlama karakteristiğini gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 415 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok