Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM22P10CZ C0G

MOSFET P-CH 100V 22A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
TSM22P10CZ

TSM22P10CZ C0G Hakkında

TSM22P10CZ C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 22A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 140mΩ on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 125W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile motor kontrolü, güç yönetimi ve anahtar devreler gibi uygulamalarda yer alır. Maksimum ±25V Gate-Source gerilimi ve 42nC Gate Charge ile hızlı komütasyon özelliği taşır. Çıkış kapasitansi 2250pF olup 30V Drain-Source geriliminde ölçülmüştür. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Dipslot montajı için tasarlanmıştır. (Ürün kullanım dışı)

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok