Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM22P10CI C0G

MOSFET P-CH 100V 22A ITO220

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
TSM22P10CI

TSM22P10CI C0G Hakkında

TSM22P10CI C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 22A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 yalıtılmış tab paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V ve 10V sürüş voltajlarında 140mOhm maksimum RDS(on) değerine ulaşır. 42nC gate charge ve 2250pF input capacitance özellikleriyle, 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 48W güç tüketimine dayanabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılan bu MOSFET, ±25V maksimum gate-source voltajında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package ITO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok