Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM220NB06CR RLG
MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM220NB06CR
TSM220NB06CR RLG Hakkında
TSM220NB06CR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 8A/35A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. 22mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PDFN (5x6) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç dönüştürme uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrol sistemleri ve gerilim düzenleyicilerde kullanılır. Hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük gate charge karakteristiği sayesinde verimli enerji yönetimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta), 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1454 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok