Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM210N06CZ C0G

MOSFET N-CHANNEL 60V 210A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
TSM210N06CZ

TSM210N06CZ C0G Hakkında

TSM210N06CZ C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-channel güç MOSFETidir. 60V Vdss ve 210A maksimum drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarına uygun bir bileşendir. TO-220-3 paket tipi ile through-hole montajı destekler. 10V kapı gerilimi altında 3.1mOhm on-direnci, 160nC kapı yükü ve 7900pF giriş kapasitansi ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 250W maksimum güç tüketir. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlama devrelerinde kullanıma uygun bir transistördür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 210A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7900 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok