Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM1NB60SCT B0G
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM1NB60SCT
TSM1NB60SCT B0G Hakkında
TSM1NB60SCT B0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V dren-kaynak gerilimi ve 500mA sürekli dren akımı kapasitesi ile çalışır. TO-92 paket tipi kullanılarak montajlanır. Maksimum 10Ω RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Gate eşik gerilimi 4.5V'tir. 2.5W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç denetimi devreleri ve düşük frekanslı SMPS uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Dipolar transistörlere kıyasla daha düşük sürücü akımı gereksinimiyle çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 138 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 250mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok