Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM1NB60SCT B0
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM1NB60SCT
TSM1NB60SCT B0 Hakkında
TSM1NB60SCT B0, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 500mA sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-92 paketinde sunulan bu FET, 10Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp iletim sağlar. Gate eşik gerilimi 4.5V, maksimum gate-source gerilimi ±30V'tur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve genel amaçlı elektronik uygulamalarında tercih edilir. Düşük gate yükü (6.1nC) ve düşük giriş kapasitansi (138pF) hızlı komütasyon gerektiren devrelerde avantaj sağlar. Maksimum güç kaybı 2.5W'tır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 138 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 250mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok