Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM1NB60SCT A3
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM1NB60SCT
TSM1NB60SCT A3 Hakkında
TSM1NB60SCT A3, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj ve 500mA sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, TO-92 paketinde sunulmaktadır. 10Ω maksimum Rds(on) değeri ile güç anahtarlaması uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. Kapı eşik voltajı 4.5V olup, ±30V kapı-kaynak voltajında çalışabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı nedeniyle endüstriyel ve geniş sıcaklık uygulamalarında kullanıma uygundur. Düşük gate charge (6.1nC) hızlı anahtarlama işlemlerini destekler. Koruma devreleri, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 138 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 250mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok