Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM1NB60CW RPG
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM1NB60CW
TSM1NB60CW RPG Hakkında
TSM1NB60CW RPG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source geriliminde ve 1A sürekli drenaj akımında çalışan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 10Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ve 39W güç yayımına dayanabilen bu MOSFET, anahtarlama ve güç denetimi devrelerinde, özellikle AC/DC dönüştürücü ve DC/DC regülatör tasarımlarında tercih edilir. 6.1nC gate yükü ve 138pF giriş kapasitanslı tasarımı, hızlı komütasyon gerektiren sistemlerde uygun performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 138 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok