Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM1N80CW RPG
MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM1N80CW
TSM1N80CW RPG Hakkında
TSM1N80CW RPG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilim derecelemesine ve 300mA sürekli dren akımına sahiptir. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 21.6Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde kullanım alanı bulur. Gate charge değeri 6nC olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.6Ohm @ 150mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok