Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM1N45CW RPG

MOSFET N-CH 450V 500MA SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
TSM1N45CW

TSM1N45CW RPG Hakkında

TSM1N45CW RPG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 450V drain-source gerilimi ve 500mA sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. SOT-223 (TO-261-4) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. RDS(on) değeri 4.25Ω olup 10V gate geriliminde çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç kaynakları, LED sürücüleri, AC/DC adaptörleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. Gate charge 6.5nC ve input capacitance 235pF değerleriyle hızlı anahtarlama özelliği sağlar. ±30V maximum gate-source gerilim sınırlaması vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 450 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.25Ohm @ 250mA, 10V
Supplier Device Package SOT-223
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.25V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok