Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM1N45CT B0G
MOSFET N-CH 450V 500MA TO92
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM1N45CT
TSM1N45CT B0G Hakkında
TSM1N45CT B0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 450V drain-source gerilimi ve 500mA sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, 10V gate sürücü geriliminde 4.25Ω maksimum on-resistance değerine sahiptir. TO-92 paket tipinde sağlanan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate threshold gerilimi 4.25V'tır ve maksimum gate gerilimi ±30V'dur. 2W maksimum güç dissipasyonu ile desteklenen bu MOSFET, düşük sinyal amplifikasyon uygulamaları, anahtar devre tasarımları ve anahtarlama güç kaynakları gibi alanlarda kullanılabilir. Bileşen, through-hole montajına uygun ve kütüphane verilerine göre obsolete konumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 450 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 235 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.25Ohm @ 250mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.25V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok