Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM190N08CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM190N08CZ
TSM190N08CZ C0G Hakkında
TSM190N08CZ C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 75V drain-source gerilimi ve 190A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Maksimum 4.2mΩ on-resistance değeri ve 250W güç disipasyonu özelliğine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Gate charge değeri 160nC olup, 10V sürücü gerilimi ile kontrol edilir. Maksimum 4V threshold geriliminde açılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 190A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8600 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok