Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM180N03PQ33 RGG
MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM180N03PQ33
TSM180N03PQ33 RGG Hakkında
TSM180N03PQ33 RGG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 25A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 8-PowerWDFN (3x3mm) yüzey montajlı pakette sunulan bileşen, 18mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. ±20V gate gerilimi aralığında çalışır ve 150°C maksimum çip sıcaklığında güvenli operasyon yapabilir. 4.1nC gate charge ve 345pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 345 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 21W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (3x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok