Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM170N06PQ56 RLG
MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM170N06PQ56
TSM170N06PQ56 RLG Hakkında
TSM170N06PQ56 RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 44A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-PDFN (5x6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 17mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletim sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 73.5W güç harcaması tolerasyonu vardır. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, LED sürücüleri ve endüstriyel güç yönetimi devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1556 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 73.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok