Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM170N06CH C5G

MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO251

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
TSM170N06CH

TSM170N06CH C5G Hakkında

TSM170N06CH C5G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj (Vdss) ve 38A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yük yönetimi devrelerinde tercih edilir. 17mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ve düşük gate charge (28.5 nC) sayesinde verimli komütasyon sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 38A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok