Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM16ND50CI C0G
MOSFET N-CH 500V 16A ITO220
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM16ND50CI
TSM16ND50CI C0G Hakkında
TSM16ND50CI C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltaj ve 16A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve inverter uygulamalarında yer alır. 10V gate drive voltajında 350mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli işletme sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen cihaz, 59.5W maksimum güç dağılım kapasitesine sahiptir. 53nC gate charge ve 2551pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2551 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 59.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok