Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM160N10LCR RLG
MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM160N10LCR
TSM160N10LCR RLG Hakkında
TSM160N10LCR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 46A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 8-PowerTDFN (5x6mm) paket tipi ile PCB'ye yüzey montajı yapılmaktadır. 16mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenli operasyon yapabilir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 46A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4431 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok