Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM160N10CZ C0G

MOSFET N-CH 100V 160A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
TSM160N10CZ

TSM160N10CZ C0G Hakkında

TSM160N10CZ C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim ile 160A sürekli drenaj akımı kabiliyetine sahiptir. 10V gate sürüş voltajında 5.5mOhm on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamaları destekler. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç denetimi, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları ve inverter devrelerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 300W güç yayılımı yapabilir. Gate yükü 154nC ve Ciss 9840pF değerleriyle hızlı anahtarlama özelliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9840 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok