Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM150P03PQ33 RGG
MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM150P03PQ33
TSM150P03PQ33 RGG Hakkında
TSM150P03PQ33 RGG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ve 36A sürekli drain akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-PowerWDFN (3x3mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 15mΩ tipik RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. Geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, ters polarite koruması ve yük anahtarlama gibi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1829 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 27.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (3x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok