Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM150NB04LCR RLG

MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
TSM150NB04LCR

TSM150NB04LCR RLG Hakkında

TSM150NB04LCR, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim toleransına ve 10A sürekli (ta), 41A pik (tc) drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerTDFN (5x6mm) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 15mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük kanalsal direncini korur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, motor sürücüleri, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 18nC gate charge ve 966pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar. ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş uygulama yelpazesi destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 41A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 966 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-PDFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok