Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM130NB06LCR RLG
MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM130NB06LCR
TSM130NB06LCR RLG Hakkında
TSM130NB06LCR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source geriliminde 10A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında kullanılan bir güç transistörüdür. 8-PowerTDFN (5x6) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlarda yer alır. 13mΩ maksimum on-direnci ile enerji verimliliği sağlar. Motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüler, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş endüstriyel uygulamalara uygunluk gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 51A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2175 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok