Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM130NB06CR RLG
MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM130NB06CR
TSM130NB06CR RLG Hakkında
TSM130NB06CR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj desteği ile düşük ve orta güç uygulamalarında kullanılır. 10A sürekli dren akımı (25°C'de) ve 51A (case sıcaklığında) kapasitesine sahiptir. 13mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. ±20V maksimum gate voltaj aralığında çalışabilir. 8-PowerTDFN (5x6) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, düşük sinyal kontrol uygulamalarından orta güç dönüştürücülerine kadar geniş bir alanda tercih edilir. 36nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde özellikle SMPS, motor kontrol ve power management devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 51A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2380 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok