Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM120NA03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM120NA03CR
TSM120NA03CR RLG Hakkında
TSM120NA03CR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 39A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8-PowerTDFN (5x6mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 11.7mΩ maksimum on-state direnç ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 33W güç yayma kapasitesine sahiptir. Düşük gate yükü (9.2nC) sayesinde hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Ürün durumu obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 562 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok