Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM120N10PQ56 RLG
MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM120N10PQ56
TSM120N10PQ56 RLG Hakkında
TSM120N10PQ56 RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajı ve 58A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 12mΩ maksimum on-state direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 8-PDFN (5x6mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama, güç dönüştürme, motor kontrol ve DC-DC konverter devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Halen üretim dışı (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3902 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok