Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM120N06LCR RLG
MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM120N06LCR
TSM120N06LCR RLG Hakkında
TSM120N06LCR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 54A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 8-PDFN (5x6) surface mount paketi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. 12mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans gösterir. Motor kontrol, güç kaynakları, switching regülatörleri ve benzer yüksek akımı gerektiren uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. Ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 54A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2116 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok