Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM110NB04CR RLG
MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM110NB04CR
TSM110NB04CR RLG Hakkında
TSM110NB04CR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj desteği ile 12A sürekli akım (Ta) ve 54A akım (Tc) kapasitesine sahiptir. 11mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. 8-PowerTDFN (5x6) yüzey monte pakette sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtar düzeneklerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına ve 68W maksimum güç tüketimine (Tc) sahiptir. ±20V maksimum gate voltajında güvenli şekilde çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 54A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1443 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok