Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM10NC65CF C0G
MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM10NC65CF
TSM10NC65CF C0G Hakkında
TSM10NC65CF C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim desteği ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 10A sürekli drain akımı kapasitesi ve 900mOhm maksimum Rds(on) değeri ile güç dönüştürme devrelerinde verimli çalışma sağlar. TO-220-3 paket tipi sayesinde sağlam mekanik tutunuş ve etkin ısı transferi yapılabilir. Gate charge 34nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel sistemler, güç kaynakları, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. 45W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile termal yönetim açısından esnek tasarımlar mümkün kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1650 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok