Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM10NC60CF C0G

MOSFET N-CH 600V 10A ITO220S

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
TSM10NC60CF

TSM10NC60CF C0G Hakkında

TSM10NC60CF C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 750mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç kaybını minimize eder. Maksimum 45W güç dağıtabilir ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanır. Gate kontrol gerilimi ±30V'a kadar tolerans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtar sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1652 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package ITO-220S
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok