Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM10N80CZ C0G
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM10N80CZ
TSM10N80CZ C0G Hakkında
TSM10N80CZ C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 9.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. 1.05Ω maksimum RDS(ON) değeri ile verimli çalışma sağlar. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasında değişmektedir. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2336 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 290W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 4.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok