Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM10N60CZ C0
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM10N60CZ
TSM10N60CZ C0 Hakkında
TSM10N60CZ C0, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajında ve 10A sürekli drain akımında çalışmaya tasarlanmıştır. TO-220-3 paket içinde sunulan bu komponent, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılan yüksek voltaj MOSFET'idir. 750mOhm maksimum açık durumda direnci (RDS-ON) ve 45.8nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon işlemlerine uygun karakteristikler sunmaktadır. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sağlayan bu transistör, endüstriyel güç kontrol devreleri, motorlar sürücüleri ve anahtarlama güç kaynaklarında uygulanabilir. Part status obsolete olmasına rağmen stok bulunabilecek bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1738 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 166W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok