Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM10N60CI C0G
MOSFET N-CH 600V 10A ITO220
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM10N60CI
TSM10N60CI C0G Hakkında
TSM10N60CI C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10A sürekli dren akımı ve 750mΩ maksimum RDS(on) değeri ile orta güç uygulamalarına uygundur. ±30V gate voltaj aralığına sahip olan transistör, -55°C ile +150°C arasında güvenli şekilde çalışabilir. 50W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, AC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. Through hole montajı ve izole tab tasarımı, yüksek voltaj uygulamalarında termal yönetimi kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1738 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok