Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM10N60CI C0
MOSFET N-CH 600V 10A ITO220
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM10N60CI
TSM10N60CI C0 Hakkında
TSM10N60CI C0, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim (Vdss) ve 10A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. Maximum 750mΩ on-state direnci (Rds On) ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışmakta, maksimum 50W güç yayabilmektedir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, invertörler ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilen bir transistördür. Gate charge değeri 45.8nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1738 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok