Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM100N06CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 60V 100A TO220
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM100N06CZ
TSM100N06CZ C0G Hakkında
TSM100N06CZ C0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 100A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate sürüş voltajında 6.7mΩ RDS(on) değeri ile düşük on-state direnci sağlar. 92nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri vardır. TO-220-3 paket ile Through Hole montajı destekler. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunar. Güç kaynakları, motor sürücüleri, enerji dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4382 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok