Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM089N08LCR RLG
MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM089N08LCR
TSM089N08LCR RLG Hakkında
TSM089N08LCR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltaj ile 67A sürekli drenaj akımını desteklemektedir. 8mΩ maksimum RDS(On) değeri ve 83W güç dağıtım kapasitesi ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. 8-PowerTDFN (5x6) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 67A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6119 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok