Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM088NA03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 61A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM088NA03CR
TSM088NA03CR RLG Hakkında
TSM088NA03CR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ve 61A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 8-PowerTDFN (5x6) yüzey montaj paketinde sunulur. 8.8mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi ve motor kontrol uygulamalarında işletilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum 56W güç dağıtabilir. Gate charge 12.6nC olup hızlı anahtarlama özellikleri ile tanınır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 61A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok