Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM085P03CV RGG
MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM085P03CV
TSM085P03CV RGG Hakkında
TSM085P03CV RGG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 64A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 8-PowerWDFN (3x3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 8.5mOhm on-resistance değeri gösterir. Gate şarjı 55nC ve giriş kapasitansı 3234pF olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük on-resistance ve yüksek akım kapasitesi sayesinde güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 50W maksimum güç dissipasyonu ile kompakt tasarımlarda tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 64A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3234 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (3x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok