Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM085N03PQ33 RGG

MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
TSM085N03PQ33

TSM085N03PQ33 RGG Hakkında

TSM085N03PQ33 RGG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 52A sürekli dren akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 8.5mOhm'luk düşük on-resistance değeri ile enerji kaybını minimumda tutar. Surface mount 8-PDFN (3x3) pakete sahip olup, güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş uygulama yelpazesi sağlar. 37W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici uygulamaları için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 52A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 817 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package 8-PDFN (3x3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok