Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM080NB03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM080NB03CR
TSM080NB03CR RLG Hakkında
TSM080NB03CR RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında çalışan bu transistör, 25°C'de 14A (ambient) veya 59A (case) sürekli drenaj akımı sağlar. 8-PowerTDFN (5x6mm) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, 8mΩ on-resistance değeriyle düşük kayıpla yüksek akım uygulamalarında kullanılır. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) çalışabilen bu FET, güç anahtarlaması, motor kontrol, enerji yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. Gate charge 20nC ve threshold voltajı 2.5V olan transistör, hızlı anahtarlama ve düşük güç tüketimi gerektiren devrelerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 59A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1097 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 55.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok