Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TSM080N03PQ56 RLG

MOSFET N-CH 30V 73A 8PDFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
TSM080N03PQ56

TSM080N03PQ56 RLG Hakkında

TSM080N03PQ56 RLG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ile 73A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8mOhm maksimum on-resistance (Rds On) değeri düşük güç kayıpları sağlar. 8-PowerTDFN (5x6mm) yüzey montajlı paketle sunulan bu bileşen, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve enerji verimliliğinin kritik olduğu endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir ve 69W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 73A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 843 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package 8-PDFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok