Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM061NA03CV RGG
MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM061NA03CV
TSM061NA03CV RGG Hakkında
TSM061NA03CV RGG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 66A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerWDFN (3x3mm) surface mount pakette sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (6.1mOhm @ 10V) sayesinde güç yönetimi, motor sürücü devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır. ±20V gate gerilimi aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile +150°C arasında işletme sıcaklıklarına dayanıklıdır. 44.6W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 66A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1136 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 44.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (3x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok