Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TSM060N03PQ33 RGG
MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TSM060N03PQ33
TSM060N03PQ33 RGG Hakkında
TSM060N03PQ33 RGG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 62A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. 8-PDFN (3x3mm) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. DC/DC dönüştürücüler, güç kaynakları, motor sürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde uygulanır. 4.5V ve 10V gate sürüş voltajlarında çalışabilir, 25.4nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 62A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1342 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (3x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok